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SI3443BDV-T1-E3中文资料

SI3443BDV-T1-E3图片

SI3443BDV-T1-E3外观图

  • 大小:113.3KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TSOP; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:3443; Current Id Max:-3.6A; Package / Case:TSOP; Power Dissipation Pd:1.1W; Pulse Current Idm:20A; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-12V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Output Current Max:1.1A
  • 数据列表:SI3443BDV
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装:6-TSOP
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI3443BDV-T1-E3TR

SI3443BDV-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-27 17:01:44
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价
  • SI3443BDV-T1-E3

    SI3443BDV-T1-E3
  • 严选现货

    严选现货= 现货+好口碑+品质承诺

    带有此标记的料号:

    1. 表示供应商具有较高市场知名度,口碑良好,缴纳了2万保证金,经维库认证中心严格审查。

    2. 供应商承诺此料号是“现货” ,如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半),投诉成立奖励您500元。

  • 1914

  • VISHAY

  • SOT236/12+

  • 百分百原装环保现货只做原装

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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